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MMBT3906T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906TRSG
Price: 0.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-MMBT3906TRSG

Herst.- Nr.:

MMBT3906T RSG

Herst.:

Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

Datenblatt:

MMBT3906T RSG Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.171	CHF 0.17
	CHF 0.102	CHF 1.02
	CHF 0.064	CHF 6.40
	CHF 0.047	CHF 23.50
	CHF 0.041	CHF 41.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.033	CHF 99.00
	CHF 0.03	CHF 180.00
	CHF 0.024	CHF 216.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-523-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	400 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	200 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	30
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.