TSM2N7002AKDCU6 RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002KDCU6
TSM2N7002AKDCU6 RFG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.301 CHF 0.30
CHF 0.184 CHF 1.84
CHF 0.116 CHF 11.60
CHF 0.087 CHF 43.50
CHF 0.077 CHF 77.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.064 CHF 192.00
CHF 0.057 CHF 342.00
CHF 0.048 CHF 432.00
CHF 0.046 CHF 1’104.00
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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
220 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 150 C
240 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 50 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 0.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Artikel # Aliases: TSM2N7002AKDCU6
Gewicht pro Stück: 7.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.