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TSM60NE110CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE110CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE110CERVG
Price: 2.38 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSM60NE110CERVG

Herst.- Nr.:

TSM60NE110CE RVG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

TSM60NE110CE RVG Datenblatt

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PDFN88-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	178 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	19 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	72 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	57 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Artikel # Aliases:	TSM60NE110CE
Gewicht pro Stück:	200 mg