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TSM60NE285CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE285CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE285CERVG
Price: 1.05 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSM60NE285CERVG

Herst.- Nr.:

TSM60NE285CE RVG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs, PDFN88

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

TSM60NE285CE RVG Datenblatt

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PDFN88-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	285 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	39 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	TSM60NE285CE
Gewicht pro Stück:	200 mg

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.