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BQ500101DPCT

Name: Texas Instruments BQ500101DPCT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-BQ500101DPCT
Price: 1.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-BQ500101DPCT

Herst.- Nr.:

BQ500101DPCT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Kabellose Lade-ICs NexFET Power Stage A 595-BQ500101DPCR A A 595-BQ500101DPCR

Datenblatt:

BQ500101DPCT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.95	CHF 1.95
	CHF 1.45	CHF 14.50
	CHF 1.33	CHF 33.25
	CHF 1.18	CHF 118.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 1.12	CHF 280.00
	CHF 1.08	CHF 540.00
	CHF 1.07	CHF 1’070.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BQ500101DPCR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.66

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

BQ500101DPCR

Beschreibung:

Kabellose Lade-ICs NexFET Power Stage 8 -VSON-CLIP -40 to 1 A 595-BQ500101DPCT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Kabellose Lade-ICs
RoHS:
REACH - SVHC:
Standard:	WPC 1.2
Produkt:	Transmitters
Ausgangsstrom:	10 A
Betriebsversorgungsspannung:	24 V
Betriebsversorgungsstrom:	2 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Wireless Charging ICs
Serie:	BQ500101
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Wireless Charging
Handelsname:	NexFET
Gewicht pro Stück:	50.300 mg

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Technical Resources

BQ500101 TINA-TI Reference Design

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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