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CSD17308Q3

Name: Texas Instruments CSD17308Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17308Q3
Price: 1.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17308Q3

Herst.- Nr.:

CSD17308Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

Datenblatt:

CSD17308Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.08	CHF 1.08
	CHF 0.685	CHF 6.85
	CHF 0.454	CHF 45.40
	CHF 0.354	CHF 177.00
	CHF 0.321	CHF 321.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.293	CHF 732.50
	CHF 0.26	CHF 1'300.00
	CHF 0.254	CHF 2'540.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17308Q3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.38

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17308Q3T

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	28 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	BQ500211AEVM-210
Abfallzeit:	2.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.7 ns
Serie:	CSD17308Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.5 ns
Gewicht pro Stück:	41 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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