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CSD18511KCS

Name: Texas Instruments CSD18511KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KCS
Price: 1.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18511KCS

Herst.- Nr.:

CSD18511KCS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Datenblatt:

CSD18511KCS Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.559	CHF 559.00
	CHF 0.558	CHF 1’395.00
	CHF 0.541	CHF 2’705.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	194 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	249 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	CSD18511KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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