CSD18536KCS

Texas Instruments
595-CSD18536KCS
CSD18536KCS

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
349 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 312 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD18536KCS
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99