CSD23285F5T

Texas Instruments
595-CSD23285F5T
CSD23285F5T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5

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CHF 0.458 CHF 114.50
CHF 0.391 CHF 195.50
CHF 0.352 CHF 352.00
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
80 mOhms
- 6 V, 6 V
950 mV
4.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 8.9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD23285F5
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 0.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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