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CSD95379Q3MT

Name: Texas Instruments CSD95379Q3MT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD95379Q3MT
Price: 1.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD95379Q3MT

Herst.- Nr.:

CSD95379Q3MT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Synchronous Buck Nex FET Power Stage CSD A 595-CSD95379Q3M

Datenblatt:

CSD95379Q3MT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.75	CHF 1.75
	CHF 1.31	CHF 13.10
	CHF 1.20	CHF 30.00
	CHF 1.07	CHF 107.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.923	CHF 230.75
	CHF 0.875	CHF 437.50
	CHF 0.858	CHF 858.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD95379Q3M

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.51

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD95379Q3M

Beschreibung:

Gate-Treiber Sync Buck NexFET Pow er State A 595-CSD9 A 595-CSD95379Q3MT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Driver ICs - Various
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-10
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	20 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	CSD95379Q3M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	5.5 mA
Pd - Verlustleistung:	6 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	NexFET
Gewicht pro Stück:	34.400 mg

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PCN

Process Change Notification (PDF)

SPICE Models

Technical Resources

CSD95379Q3M TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.