CSD95472Q5MC

Texas Instruments
595-CSD95472Q5MC
CSD95472Q5MC

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 20 V 60 A SON 5 x 6 mm DualCool synchron A 595-CSD95472Q5MCT

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.64 CHF 5.64
CHF 3.89 CHF 38.90
CHF 3.84 CHF 96.00
CHF 2.97 CHF 297.00
CHF 2.95 CHF 737.50
CHF 2.93 CHF 1'465.00
CHF 2.69 CHF 2'690.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 2.52 CHF 6'300.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
REACH - SVHC:
Driver ICs - Various
SMD/SMT
VSON-12
1 Driver
1 Output
60 A
4.5 V
5.5 V
- 40 C
+ 125 C
CSD95472Q5MC
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 5.5 V
Pd - Verlustleistung: 12 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Handelsname: DualCool
Gewicht pro Stück: 126.200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
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8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.