ISO5451DWR

Texas Instruments
595-ISO5451DWR
ISO5451DWR

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5451DW

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 3.51 CHF 3.51
CHF 2.67 CHF 26.70
CHF 2.46 CHF 61.50
CHF 2.22 CHF 222.00
CHF 2.11 CHF 527.50
CHF 2.04 CHF 1'020.00
CHF 1.99 CHF 1'990.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
CHF 1.85 CHF 3'700.00
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Verpackung:
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Texas Instruments ISO5451DW
Texas Instruments
Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5451DWR
End-of-Life-Produkt : Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:  
ISO5451
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
700 mW
110 ns
20 ns
20 ns
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Inverting, Non-Inverting
Kenndaten und Eigenschaften: DESAT Protection, Miller Clamp, Power Good, Fault Output, Reset
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Treiber: 1 Driver
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Betriebsversorgungsstrom: 2.8 mA
Ausgangsstrom: 5 A
Ausgangsspannung: 15 V to 30 V
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 5.5 V
Versorgungsspannung - Min.: 3 V
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 759 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

ISO5451 isolierter IGBT/MOSFET Gate-Treiber

Der Texas Instruments ISO5451 isolierte IGBT/MOSFET Gate-Treiber ist ein 4,25kVRMS Gate-Treiber mit Basisisolation für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 3V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Eine integrierte Entsättigungsfehlererkennung erkennt eine Überlastbedingung im IGBT. Wenn die Entsättigung aktiv ist, wird ein Fehlersignal über die Isolationsbarriere gesendet, indem der FLT-Ausgang auf der Eingangsseite tief gestellt wird, um den Isolatoreingang zu blockieren. Die FLT-Ausgangsbedingung wird verriegelt und kann durch einen wenig aktiven Impuls auf dem RST-Eingang zurückgesetzt werden. Die Bereitschaft des Gate-Treibers zum Betrieb wird von zwei Unterspannungs-Sperrschaltkreisen gesteuert, die die Versorgung auf der Eingangs- und Ausgangsseite überwachen. Wenn eine der beiden Seiten ungenügend versorgt wird, wird der RDY niedrig geschaltet, da ansonsten der Ausgang hoch ist.
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