Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

JFE150DBVT

Name: Texas Instruments JFE150DBVT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE150DBVT
Price: 3.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-JFE150DBVT

Herst.- Nr.:

JFE150DBVT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

JFETs Ultra-low-noise low -gate-current audio

Datenblatt:

JFE150DBVT Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments JFE150DBVT

Auf Lager: 226

Lagerbestand:: 226

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 250

erwartet ab 23.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 9

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.72	CHF 3.72
	CHF 2.46	CHF 24.60
	CHF 1.55	CHF 155.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 1.55	CHF 387.50
	CHF 1.43	CHF 715.00
	CHF 1.39	CHF 1’390.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-5
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 40 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 1.2 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	JFE150
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3 mS
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

JFE150DBVT Datenblatt

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

JFE150 Audio-n-Kanal-JFET

Der Texas Instruments JFE150 Audio-n-Kanal-JFET ist ein Burr-Brown™ diskreter JFET, der mit dem modernen, analogen, bipolaren Hochleistungs-Prozess von Texas Instruments hergestellt wurde. Der JFE150 verfügt über eine Leistung, die bisher nicht in älteren diskreten JFET-Technologien verfügbar war. Der JFE150 bietet den maximal möglichen Rausch-zu-Leistung-Wirkungsgrad und die Flexibilität, wobei der Ruhestrom vom Benutzer eingestellt werden kann und eine hervorragende Rauschleistung für Ströme von 50 µA bis 20 mA liefert. Bei einer Vorspannung von 5 mA liefert das Bauteil ein eingangsbezogenes Rauschen von 0,8 nV/√Hz, wodurch eine extrem rauscharme Leistung mit extrem hoher Eingangsimpedanz (> 1 TΩ) erzielt wird. Der JFE150 verfügt außerdem über integrierte Dioden, die mit separaten Klemmknoten verbunden sind, um den Schutz ohne zusätzliche externe Dioden mit hohem Ableitstrom und nichtlinearen Eigenschaften zu gewährleisten.