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JFE150DCKR

Name: Texas Instruments JFE150DCKR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE150DCKR
Price: 3.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-JFE150DCKR

Herst.- Nr.:

JFE150DCKR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

JFETs Ultra-low-noise low -gate-current audio JFE150DCKT

Datenblatt:

JFE150DCKR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.27	CHF 3.27
	CHF 2.15	CHF 21.50
	CHF 1.60	CHF 160.00
	CHF 1.34	CHF 670.00
	CHF 1.30	CHF 1’300.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.16	CHF 3’480.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC70-5
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 40 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 1.2 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	50 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	JFE150
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 ms
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

JFE150 Audio-n-Kanal-JFET

Der Texas Instruments JFE150 Audio-n-Kanal-JFET ist ein Burr-Brown™ diskreter JFET, der mit dem modernen, analogen, bipolaren Hochleistungs-Prozess von Texas Instruments hergestellt wurde. Der JFE150 verfügt über eine Leistung, die bisher nicht in älteren diskreten JFET-Technologien verfügbar war. Der JFE150 bietet den maximal möglichen Rausch-zu-Leistung-Wirkungsgrad und die Flexibilität, wobei der Ruhestrom vom Benutzer eingestellt werden kann und eine hervorragende Rauschleistung für Ströme von 50 µA bis 20 mA liefert. Bei einer Vorspannung von 5 mA liefert das Bauteil ein eingangsbezogenes Rauschen von 0,8 nV/√Hz, wodurch eine extrem rauscharme Leistung mit extrem hoher Eingangsimpedanz (> 1 TΩ) erzielt wird. Der JFE150 verfügt außerdem über integrierte Dioden, die mit separaten Klemmknoten verbunden sind, um den Schutz ohne zusätzliche externe Dioden mit hohem Ableitstrom und nichtlinearen Eigenschaften zu gewährleisten.