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JFE2140DR

Name: Texas Instruments JFE2140DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE2140DR
Price: 3.79 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-JFE2140DR

Herst.- Nr.:

JFE2140DR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

JFETs Dual ultra-low nois e low-gate-current

Datenblatt:

JFE2140DR Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.79	CHF 3.79
	CHF 2.66	CHF 26.60
	CHF 2.30	CHF 230.00
	CHF 2.21	CHF 2’210.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 2.14	CHF 5’350.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Dual
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 40 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 1.15 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	50 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	JFE2140
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	MY
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 mS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

JFE2140 n-Kanal-JFET

Der Texas Instruments JFE2140 n-Kanal-JFET ist ein diskreter Burr-Brown™ Matched-Pair-JFET, der mit dem leistungsstarken, analogen bipolaren Prozess von TI hergestellt wird. Der JFE2140 zeichnet sich durch ein hervorragendes Rauschverhalten in allen Strombereichen aus, wobei der Benutzer den Ruhestrom von 50μA bis 20 mA einstellen kann. Bei einer Vorspannung von 5 mA liefert der JFE2140 ein eingangsbezogenes Rauschen von 0,9 nV/√Hz, was eine extrem rauscharme Leistung bei extrem hoher Eingangsimpedanz ermöglicht (> 1TΩ). Darüber hinaus wird die Anpassung zwischen den JFETs auf ±4 mV getestet, um einen niedrigen Offset und eine hohe CMRR-Leistung für differentielle Paarkonfigurationen zu gewährleisten.