LMG1210RVRT

Texas Instruments
595-LMG1210RVRT
LMG1210RVRT

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 38

Lagerbestand:
38
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
1’000
erwartet ab 02.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
18
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.11 CHF 5.11
CHF 3.92 CHF 39.20
CHF 3.62 CHF 90.50
CHF 3.30 CHF 330.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
CHF 3.13 CHF 782.50
CHF 3.01 CHF 1’505.00
CHF 2.96 CHF 2’960.00
CHF 2.92 CHF 7’300.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Logiktyp: TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 18 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 18 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Sperrzeit - Max.: 18 ns
Betriebsversorgungsstrom: 380 uA
Ausgangsspannung: 5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 20 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 400 mOhms
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Handelsname: GaN
Gewicht pro Stück: 26.800 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und GaN-FET-Treiber

Texas Instruments LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und Gallium-Nitrid-Feldeffekttransistor-Treiber (GaN-FET) sind für Applikationen mit extrem hoher Frequenz und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Das Bauteil eignet sich für Applikationen, die über eine einstellbare Totzeit-Fähigkeit, eine sehr kleine Laufzeitverzögerung und eine High-Side-Low-Side-Anpassung von 3,4 ns zur Optimierung des Systemwirkungsgrads verfügen. Die LMG1210 MOSFET- und GaN-FET-Treiber bieten einen internen LDO, der unabhängig von der Versorgungsspannung eine Gate-Drive-Spannung von 5 V gewährleistet.