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LMG3410R050RWHT

Name: Texas Instruments LMG3410R050RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3410R050RWHT
Price: 16.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3410R050RWHT

Herst.- Nr.:

LMG3410R050RWHT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler 600-V 50-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3410R050RWHR

Datenblatt:

LMG3410R050RWHT Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 16.25	CHF 16.25
	CHF 12.96	CHF 129.60
	CHF 12.15	CHF 303.75
	CHF 11.33	CHF 1’133.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 10.74	CHF 2’685.00
	CHF 10.42	CHF 5’210.00
5’000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler
RoHS:
REACH - SVHC:
Typ:	GaN Power Stage
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
On-Widerstand - Max.:	57 mOhms
Betriebszeit - Max.:	16 ns
Sperrzeit - Max.:	32 ns
Betriebsversorgungsspannung:	12 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-32
Serie:	LMG3410R050
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt:	Power Switch ICs
Produkt-Typ:	Power Switch ICs - Power Distribution
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Switch ICs
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	188.300 mg

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PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe

Die Texas Instruments LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Die inhärenten Vorteile des LMG341x gegenüber Silizium-MOSFETs umfassen eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI. Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien, wie z. B. Totem-Pole-PFCs.