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LMG3411R050RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R050RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R050RWHT
Price: 25.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3411R050RWHT

Herst.- Nr.:

LMG3411R050RWHT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR

Datenblatt:

LMG3411R050RWHT Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 25.41	CHF 25.41
	CHF 20.58	CHF 205.80
	CHF 19.36	CHF 484.00
	CHF 18.03	CHF 1’803.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 16.90	CHF 4’225.00
	CHF 16.89	CHF 8’445.00
2’500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	12 A
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	2.9 ns
Abfallzeit:	26 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R050
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	8.9 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	5.2 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	23 mA
Ausgangsspannung:	5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	57 mOhms
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	188.300 mg

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Datenblatt

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Application Notes

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe

Die Texas Instruments LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Die inhärenten Vorteile des LMG341x gegenüber Silizium-MOSFETs umfassen eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI. Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien, wie z. B. Totem-Pole-PFCs.