LMG3526R050RQST

LMG3526R050 650 V GaN-FET

Texas Instrument LMG3526R050 650 V GaN-FET mit integriertem Treiber und Schutz zielt auf Schaltnetzteil-Leistungswandler ab und ermöglicht Entwicklern das Erreichen neuer Leistungsdichte- und Effizienzniveaus. Der LMG3526R050 integriert einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten bis zu 150 V/ns ermöglicht. TI bietet eine integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung, was zu einem höheren Schalt-SOA als diskrete Silizium-Gate-Treiber führt. Diese Integration sorgt in Kombination mit dem Niedriginduktivitätspaket von TI für minimales Klingeln und sauberes Schalten in hart schaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit von 15V/ns bis 150V/ns. Diese Steuerung kann zur Steuerung von EMI und zur aktiven Optimierung der Schaltleistung verwendet werden.