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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 10.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG5200MOFR

Herst.- Nr.:

LMG5200MOFR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Datenblatt:

LMG5200MOFR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 10.34	CHF 10.34
	CHF 8.13	CHF 81.30
	CHF 7.58	CHF 189.50
	CHF 6.98	CHF 698.00
	CHF 6.94	CHF 1’735.00
	CHF 6.71	CHF 3’355.00
	CHF 6.64	CHF 6’640.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 6.13	CHF 12’260.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFM-9
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	3 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 Ohms
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	2.338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments bietet eine integrierte Leistungsstufenlösung mit Anreicherungs-Gallium-Nitrid-(GaN)-FETs. Das Bauteil besteht aus zwei 80V-GaN-FETs, die von einem GaN-FET-Treiber mit hoher Frequenz in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Die GaN-FETs bieten erhebliche Vorteile für die Leistungsumwandlung, da sie über eine Sperrverzögerung nahe Null und eine sehr kleine Eingangskapazität C_ISS verfügen. Alle Bauteile sind auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit einer minimalen Anzahl parasitärer Gehäuseelementen montiert. Die TTL-Logik-kompatiblen Eingänge können unabhängig von der V_CC-Spannung Eingangsspannungen bis zu 12 V widerstehen. Das proprietäre Bootstrap-Spannungsklemmverfahren stellt sicher, dass die Gate-Spannungen der Anreicherungs-GaN-FETs innerhalb eines sicheren Betriebsbereichs liegen.

Galliumnitrid (GaN)

Die Galliumnitrid-(GaN)-Lösungen von Texas Instruments bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die GaN-Produktfamilie von Texas Instruments besteht aus Controllern, Treibern und Reglern und bietet eine durchgehende Leistungsumwandlung mit reduzierter Leistungsaufnahme und 5-MHz-Schaltfrequenzen.