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MCF8315DVPWPR

Name: Texas Instruments MCF8315DVPWPR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-MCF8315DVPWPR
Price: 2.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-MCF8315DVPWPR

Herst.- Nr.:

MCF8315DVPWPR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 40V max 4A peak se n sorless FOC option

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MCF8315DVPWPR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Betriebsversorgungsspannung:	24 V
Ausgangsstrom:	3.5 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HTSSOP-24
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	TW
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	TW
Entwicklungs-Kit:	MCF8315EVM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsfrequenz:	100 kHz
Produkt-Typ:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	MCF8315D
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	40 V
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542311999
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

MCF8315D Sensorloser FOC-BLDC-Treiber

Der sensorlose feldorientierte (FOC) bürstenlose Gleichstrommotor-Treiber (BLDC) MCF8315D von Texas Instruments ist ein Ein-Chip-Gerät für Benutzer, die drehzahlgeregelte 12-V- bis 24-V-BLDCs ansteuern. Der FOC-Algorithmus ist in einer Zustandsmaschine mit fester Funktion implementiert, so dass keine Kodierung erforderlich ist. Die Algorithmus-Konfiguration wird in einem nichtflüchtigen EEPROM gespeichert, wodurch der Treiber im eigenständigen Modus betrieben werden kann, sobald der Treiber konfiguriert ist. Dieser Treiber integriert drei Halbbrücken mit einer absoluten maximalen Leistung von 40 V und einem niedrigen R_{DS (ON)} von 240 mΩ/250 mΩ/265 mΩ (High-Side + Low-Side-FETs).