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TPS28226DRBR

Name: Texas Instruments TPS28226DRBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DRBR
Price: 0.62 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TPS28226DRBR

Herst.- Nr.:

TPS28226DRBR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226DRBT

Datenblatt:

TPS28226DRBR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SON-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	6 A
Versorgungsspannung - Min.:	4 V
Versorgungsspannung - Max.:	8.8 V
Anstiegszeit:	10 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	TPS28226
Verpackung:	Reel
Marke:	Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften:	Synchronous Rectification
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	14 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Pd - Verlustleistung:	2.58 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	24 mg

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ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.