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UCC27210D

Name: Texas Instruments UCC27210D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210D
Price: 3.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27210D

Herst.- Nr.:

UCC27210D

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27210DR

Datenblatt:

UCC27210D Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.49	CHF 24.90
	CHF 2.11	CHF 52.75
	CHF 2.10	CHF 157.50
	CHF 2.07	CHF 621.00
	CHF 2.06	CHF 1’081.50
	CHF 1.98	CHF 2’079.00
	CHF 1.95	CHF 5’850.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Versorgungsspannung - Max.:	17 V
Anstiegszeit:	7.2 ns
Abfallzeit:	5.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 140 C
Serie:	UCC27210
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	76 mg

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EOL

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Models

UCC27210D Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.