UCC27211DPRR

Texas Instruments
595-UCC27211DPRR
UCC27211DPRR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27211DPRT

ECAD Model:
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CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.19 CHF 2.19
CHF 1.61 CHF 16.10
CHF 1.48 CHF 37.00
CHF 1.32 CHF 132.00
CHF 1.24 CHF 310.00
CHF 1.16 CHF 580.00
CHF 1.03 CHF 1’030.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.912 CHF 2’736.00
CHF 0.896 CHF 5’376.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 2.51
Min:
1

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End-of-Life-Produkt : Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
4 A
7.8 V
20 V
8 ns
7 ns
- 40 C
+ 140 C
UCC27211
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Produkte gefunden:
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Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.