UCC27311ADRCR

Texas Instruments
595-UCC27311ADRCR
UCC27311ADRCR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 120V 4A half-bridge driver with 8V UVLO

Lebenszyklus:
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Erw. Preis:
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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.78 CHF 1.78
CHF 1.31 CHF 13.10
CHF 1.20 CHF 30.00
CHF 1.06 CHF 106.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.06 CHF 3’180.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VSON-10
2 Driver
2 Output
3.7 A, 4.5 A
8 V
17 V
Non-Inverting
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 125 C
UCC27311A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Logiktyp: CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 17 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 17 ns
Betriebsversorgungsstrom: 3 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 42 ns
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: SiC
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC27311A/UCC27311A-Q1 Halbbrückentreiber

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1 Halbbrückentreiber sind robuste Gate-Treiber, die zwei n-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrücken- oder synchronen Abwärtskonfiguration mit einer absoluten maximalen Bootstrap-Spannung von 120 V ansteuern können. Aufgrund der Quellen-Spitzenstrombelastbarkeit von 3,7 A und Senken-Spitzenstrombelastbarkeit von 4,5 A können UCC27311A/UCC27311A-Q1 große Leistungs-MOSFETs mit minimalen Schaltverlusten während des Übergangs durch das Miller-Plateau ansteuern. Der Schaltknoten (HS-Pin) kann negative Transientenspannungen verarbeiten, wodurch der High-Side-Kanal vor inhärenten negativen Spannungen, die durch Streukapazitäten und parasitäre Induktivität verursacht werden, geschützt werden kann.