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UCC27714D

Name: Texas Instruments UCC27714D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27714D
Price: 3.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27714D

Herst.- Nr.:

UCC27714D

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 4-A 600-V half brid ge gate driver 14-SO A 595-UCC27714DR

Datenblatt:

UCC27714D Datenblatt

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

UCC27714DR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.57

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

UCC27714DR

Beschreibung:

Gate-Treiber 4-A 600-V half brid ge gate driver 14-SO A 595-UCC27714D

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-14
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	15 ns
Abfallzeit:	15 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	UCC27714
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	125 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	125 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Sperrzeit - Max.:	100 ns
Betriebsversorgungsstrom:	750 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	133.400 mg

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UCC27714 TINA-TI Transient Reference Design

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC27714 High-Side-/Low-Side-Gatetreiber mit hohen Geschwindigkeiten

Texas Instruments UCC27714 High-Speed High-Side Low-Side Gate Driver is a 600V high-side, low-side gate driver with 4A source and 4A sink current capability. Er ist für den Antrieb von Leistungs-MOSFETs und IGBTs ausgelegt. Der Baustein verfügt über einen massebezogenen Referenzkanal (LO) und einen potenzialfreien Kanal (HO), der für Bootstrap-Versorgungsbetrieb ausgelegt ist. Der Baustein bietet eine ausgezeichnete Robustheit und eine Rauschimmunität mit der Fähigkeit die operative Logik bei negativen Spannungen bis -8V_DC auf dem HS-Kontakt (bei V_DD = 12V) beizubehalten. Der Baustein akzeptiert einen weiten Vorspannungsversorgungsbereich von 10V bis 20V und bietet einen UVLO-Schutz für sowohl V_CC- als auch HB-Vorspannungsversorgungskontakte.
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