UCC28C42DGKR

Texas Instruments
595-UCC28C42DGKR
UCC28C42DGKR

Herst.:

Beschreibung:
Schaltregler BiCMOS Low-Current 8 Pin Current Mode A A 595-UCC28C42DGK

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.64 CHF 1.64
CHF 1.22 CHF 12.20
CHF 1.11 CHF 27.75
CHF 0.987 CHF 98.70
CHF 0.931 CHF 232.75
CHF 0.896 CHF 448.00
CHF 0.864 CHF 864.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.833 CHF 2’082.50
CHF 0.809 CHF 4’045.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
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1

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End-of-Life-Produkt : Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Schaltregler
RoHS:  
Boost, Flyback, Forward
1 Output
1 MHz
100 %
18 V
1 A
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
VSSOP-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Abfallzeit: 20 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Switching Controllers
Anstiegszeit: 25 ns
Serie: UCC28C42
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 26 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller

Texas Instruments UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller sind erweiterte BiCMOS-Versionen mit Pin-zu-Pin-Kompatibilität zu den UC28C4x Industriestandard-PWM-Controllern. Diese Bauteile bieten zahlreiche Leistungsvorteile mit den erforderlichen Funktionen zur Regelung der Festfrequenz und Spitzenstrommodusversorgungen. Diese Bauteile bieten einen Hochfrequenzbetrieb von bis zu 1 MHz mit geringen Anlauf- und Betriebsströmen. Dadurch werden die Anlaufverluste reduziert und ein niedriger Stromverbrauch bei Betrieb für einen höheren Wirkungsgrad erzielt. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über eine schnelle Strommessung zur Ausgangsverzögerungszeit von 35 ns und einen Spitzenausgangsstrom von ±1 A mit verbesserten Anstiegs- und Abfallzeiten für den direkten Antrieb von großen externen MOSFETs.