UCC38C45DR

Texas Instruments
595-UCC38C45DR
UCC38C45DR

Herst.:

Beschreibung:
Schaltregler BiCMOS Low-Power Cur rent Mode A 595-UCC A 595-UCC38C45D

ECAD Model:
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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.833 CHF 0.83
CHF 0.603 CHF 6.03
CHF 0.544 CHF 13.60
CHF 0.479 CHF 47.90
CHF 0.449 CHF 112.25
CHF 0.431 CHF 215.50
CHF 0.419 CHF 419.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.398 CHF 995.00
CHF 0.397 CHF 1’985.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 1.61
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Schaltregler
RoHS:  
Boost, Buck, Flyback, Forward
1 Output
1 MHz
50 %
18 V
1 A
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOIC-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Abfallzeit: 20 ns
Isolierung: Non-Isolated
Betriebsversorgungsstrom: 2.3 mA
Betriebsversorgungsspannung: 18 V
Produkt: Switching Controllers
Produkt-Typ: Switching Controllers
Anstiegszeit: 25 ns
Serie: UCC38C45
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 72.600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller

Texas Instruments UCC28C4x-Q1 Strommodus-PWM-Controller sind erweiterte BiCMOS-Versionen mit Pin-zu-Pin-Kompatibilität zu den UC28C4x Industriestandard-PWM-Controllern. Diese Bauteile bieten zahlreiche Leistungsvorteile mit den erforderlichen Funktionen zur Regelung der Festfrequenz und Spitzenstrommodusversorgungen. Diese Bauteile bieten einen Hochfrequenzbetrieb von bis zu 1 MHz mit geringen Anlauf- und Betriebsströmen. Dadurch werden die Anlaufverluste reduziert und ein niedriger Stromverbrauch bei Betrieb für einen höheren Wirkungsgrad erzielt. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über eine schnelle Strommessung zur Ausgangsverzögerungszeit von 35 ns und einen Spitzenausgangsstrom von ±1 A mit verbesserten Anstiegs- und Abfallzeiten für den direkten Antrieb von großen externen MOSFETs.