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UCC5870QDWJQ1

Name: Texas Instruments UCC5870QDWJQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC5870QDWJQ1
Price: 17.2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC5870QDWJQ1

Herst.- Nr.:

UCC5870QDWJQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJRQ1

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

UCC5870QDWJQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 11.73	CHF 1’302.03
	CHF 11.15	CHF 2’887.85
	CHF 10.44	CHF 5’407.92
	CHF 9.66	CHF 10’007.76

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

UCC5870QDWJRQ1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 13.07

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC5870
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SSOP-36
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Verzögerungszeit - Max.:	150 ns
Anstiegszeit:	150 ns
Abfallzeit:	150 ns
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Inverting
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	30 A
Ausgangsspannung:	15 V to 30 V
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	37
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

UCC5870-Q1 IGBT-/SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Der UCC5870-Q1 IGBT-/SiC-MOSFET-Gate-Treiber von Texas Instruments ist ein mit der funktionalen Sicherheit konformer, isolierter, hochkonfigurierbarer Gate-Treiber, der zur Ansteuerung von Hochleistungs-SiC-MOSFETS und -IGBTs in EV-/HEV-Applikationen ausgelegt ist. Leistungstransistor-Schutzfunktionen, wie z. B. ein Querwiderstand, der auf der Überstrom-, NTC-basierten Übertemperatur- und DESAT-Erkennung basiert, einschließlich wählbares Soft-Abschalten oder zweistufiges Abschalten während dieser Fehler. Um die Applikationsgröße weiter zu reduzieren, integriert der UCC5870-Q1 von Texas Instruments eine aktive Miller-Klemme von 4 A während des Schaltens und ein aktives Gate-Pull-Down, während der Treiber ausgeschaltet wird. Ein integrierter 10-Bit-ADC ermöglicht die Überwachung von bis zu sechs analogen Eingängen und der Temperatur des Gate-Treibers für ein verbessertes Systemmanagement. Diagnose- und Erkennungsfunktionen sind integriert, um das Design von ASIL-konformen Systemen zu vereinfachen. Die Parameter und Schwellenwerte für diese Funktionen sind über die SPI-Schnittstelle konfigurierbar, wodurch das Bauteil mit nahezu jedem SiC-MOSFET oder IGBT verwendet werden kann.