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RoHS

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2SC2712-GR(TE85L,F

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-2SC2712-GRTE85LF

Herst.- Nr.:

2SC2712-GR(TE85L,F

Herst.:

Toshiba

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	2-3F1A
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	150 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	60 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	250 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	80 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	2SC2712
Verpackung:	Reel
Marke:	Toshiba
Kollektorgleichstrom:	150 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	70
DC Stromverstärkung hFE max.:	700
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors