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RN1130MFV(TPL3)

Toshiba

Mouser-Nr.:

757-RN1130MFV(TPL3)

Herst.- Nr.:

RN1130MFV(TPL3)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Digitaltransistoren 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms

Datenblatt:

RN1130MFV(TPL3) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:	N
Konfiguration:	Single
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	100 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VESM-3
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Spitzen-Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	RN1130MFV
Verpackung:	Reel
Marke:	Toshiba
Emitter-Basisspannung VEBO:	10 V
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

RN1130MFV(TPL3) Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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