RN2906,LF
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Beschreibung:
Digitaltransistoren US6-PLN
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ | ||
| CHF 0.222 | CHF 0.22 | |
| CHF 0.122 | CHF 1.22 | |
| CHF 0.085 | CHF 8.50 | |
| CHF 0.06 | CHF 30.00 | |
| CHF 0.048 | CHF 48.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000) | ||
| CHF 0.037 | CHF 111.00 | |
| CHF 0.032 | CHF 192.00 | |
| CHF 0.027 | CHF 243.00 | |
| CHF 0.026 | CHF 624.00 | |
Datenblatt
Application Notes
- Application Note
- Application Note
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8541210000
- USHTS:
- 8541210095
- JPHTS:
- 8541210101
- KRHTS:
- 8541219000
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 85412101
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Thailand
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
Liechtenstein

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
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further assistance.
5-0320-2