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SSM14N956L,EFF

Name: Toshiba SSM14N956L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM14N956LEFF
Price: 1.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM14N956LEFF

Herst.- Nr.:

SSM14N956L,EFF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm

Datenblatt:

SSM14N956L,EFF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.696	CHF 69.60
	CHF 0.563	CHF 281.50
	CHF 0.485	CHF 485.00
	CHF 0.479	CHF 1’197.50
	CHF 0.467	CHF 2’335.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.454	CHF 4’540.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.33 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	2.1 us
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.3 us
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	3.8 us
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1 us

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Datenblatt

SSM14N956L,EFF Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SSM14N956L MOSFET

Der MOSFET SSM14N956L von Toshiba verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-Einschaltwiderstand und ist RoHS-kompatibel. Der SSM14N956L MOSFET ist halogenfrei. Dieser MOSFET liefert 2,44 W unter Maßgabe (t ≤ 10 s) und wird bei einer Kanaltemperatur von 150 °C und einem Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Der R_{SS (ON)} = 1,1 mΩ (typisch) (@V_GS = 3,8 V) und R_{SS (ON)} = 1 mΩ (typisch) (@V_GS = 4,5 V) sind der niedrige Source-to-Source-On-Widerstand. Dieser SSM14N956L-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Batterieschutzschaltungen.