TDTC114E,LM
Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen
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757-TDTC114ELM
TDTC114E,LM
Herst.:
Beschreibung:
Digitaltransistoren BRT 0.1A 50V 10KOhm / 10KOhm
Digitaltransistoren BRT 0.1A 50V 10KOhm / 10KOhm
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 0.143 | CHF 0.14 | |
| CHF 0.086 | CHF 0.86 | |
| CHF 0.053 | CHF 5.30 | |
| CHF 0.039 | CHF 19.50 | |
| CHF 0.034 | CHF 34.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000) | ||
| CHF 0.025 | CHF 75.00 | |
Datenblatt
Application Notes
- Basics of Bias Resistor Built-In Transistors (BRTs)
- Electrical Characteristics of Bias Resistor Built-In Transistors (BRTs)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
Konformitätscodes
- CNHTS:
- 8541210000
- CAHTS:
- 8541210000
- USHTS:
- 8541210075
- JPHTS:
- 8541210101
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 85412101
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassifikationen
- Ursprungsland:
- Thailand
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
