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TJ90S04M3L,LQ

Name: Toshiba TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ90S04M3LLQ
Price: 2.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TJ90S04M3LLQ

Herst.- Nr.:

TJ90S04M3L,LQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

Datenblatt:

TJ90S04M3L,LQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.49	CHF 2.49
	CHF 1.61	CHF 16.10
	CHF 1.12	CHF 112.00
	CHF 0.904	CHF 452.00
	CHF 0.864	CHF 864.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.809	CHF 1’618.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	172 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	180 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	426 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	76 ns
Serie:	TJ20A10M3
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1305 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	94 ns
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Datenblatt

TJ90S04M3L,LQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.