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TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 5.47 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK110Z65ZS1F

Herst.- Nr.:

TK110Z65Z,S1F

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Datenblatt:

TK110Z65Z,S1F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	190 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

TK110Z65Z,S1F Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK110Z65Z Silizium-N-Kanal-MOSFET der DTMOSIV-Baureihe

Der TK110Z65Z Silizium-N-Kanal-MOSFET der Serie DTMOSIV von Toshiba zeichnet sich durch einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 0,092Ω (typisch), Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und eine geringe Kapazität aus. Der TK110Z65Z verfügt außerdem über einen Anreicherungsmodus, der ihn ideal für den Einsatz in Schaltnetzteilanwendungen macht.