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TK19A45D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK19A45D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK19A45DSTA4QM
Price: 3.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK19A45DSTA4QM

Herst.- Nr.:

TK19A45D(STA4,Q,M)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

Datenblatt:

TK19A45D(STA4,Q,M) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	450 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms
Pd - Verlustleistung:	50 W
Handelsname:	MOSVII
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	TK19A45D
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

TK19A45D(STA4,Q,M) Datenblatt (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.