TK3A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK3A60DASTA4QM
TK3A60DA(STA4,Q,M)

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 51

Lagerbestand:
51 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 1.32 CHF 1.32
CHF 0.656 CHF 6.56
CHF 0.528 CHF 52.80
CHF 0.447 CHF 223.50
CHF 0.383 CHF 383.00
CHF 0.382 CHF 955.00
CHF 0.367 CHF 1'835.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
2.5 A
2.8 Ohms
- 30 V, 30 V
2.4 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: TK3A60DA
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.