TK5A90E,S4X
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Siehe Produktspezifikationen
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757-TK5A90ES4X
TK5A90E,S4X
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 1.80 | CHF 1.80 | |
| CHF 0.90 | CHF 9.00 | |
| CHF 0.835 | CHF 83.50 | |
| CHF 0.636 | CHF 318.00 | |
| CHF 0.55 | CHF 550.00 |
Datenblatt
Application Notes
- Basics of Operational Amplifiers and Comparators
- Designing of Low Power Op Amps for Dust Sensor
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Low-Noise CMOS Operational Amplifider Ideal for Sensor Signal Amplification
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Signal Gain and Noise Gain of the Op-Amp
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
