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TLP352F(D4-TP4,F)

Name: Toshiba TLP352F(D4-TP4,F)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TLP352FD4TP4F
Price: 1.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TLP352FD4TP4F

Herst.- Nr.:

TLP352F(D4-TP4,F)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Optisch isolierte Gate-Treiber Photocoupler, Photo IC Output

Datenblatt:

TLP352F(D4-TP4,F) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.20	CHF 12.00
	CHF 0.92	CHF 92.00
	CHF 0.787	CHF 393.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.667	CHF 667.00
	CHF 0.625	CHF 1’250.00
	CHF 0.61	CHF 3’050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Optisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	SMD-8
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	8 ns
If - Durchlassstrom:	20 mA
Isolierungsspannung:	3750 Vrms
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	260 mW
Produkt-Typ:	Optically Isolated Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	200 ns
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Optocouplers
Typ:	Photocoupler
Vf - Durchlassspannung:	1.55 V
Vr - Sperrspannung:	5 V
Gewicht pro Stück:	540 mg

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
JPHTS:: 854149000
KRHTS:: 8541409029
TARIC:: 8541490000
MXHTS:: 8541400401
BRHTS:: 85414900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TLP152/352 IGBT/MOSFET Gate Drive Photocouplers

Toshiba TLP152/352 IGBT/MOSFET Gate Drive Photocouplers consist of a GaAℓAs infrared light-emitting diode (LED) optically coupled to an integrated high-gain, high-speed photodetector IC chip. Each of these has an internal Faraday shield that provides a guaranteed common-mode transient immunity of 20kV/μs. They have a totem-pole output that can both sink and source current. These devices are ideal for IGBT and power MOSFET gate drivers.

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