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TLP352F(D4-TP4,F)

Name: Toshiba TLP352F(D4-TP4,F)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TLP352FD4TP4F
Price: 1.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TLP352FD4TP4F

Herst.- Nr.:

TLP352F(D4-TP4,F)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Optisch isolierte Gate-Treiber Photocoupler, Photo IC Output

Datenblatt:

TLP352F(D4-TP4,F) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.11	CHF 11.10
	CHF 0.841	CHF 84.10
	CHF 0.723	CHF 361.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 0.606	CHF 606.00
	CHF 0.568	CHF 1’136.00
	CHF 0.555	CHF 2’775.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Optisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SMD-8
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vf - Durchlassspannung:	1.55 V
Vr - Sperrspannung:	5 V
If - Durchlassstrom:	20 mA
Isolierungsspannung:	3750 Vrms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	260 mW
Verzögerungszeit - Max.:	200 ns
Anstiegszeit:	15 ns
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Produkt-Typ:	Optically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Optocouplers
Typ:	Photocoupler
Gewicht pro Stück:	540 mg

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Datenblatt

TLP352F(D4-TP4,F) Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
JPHTS:: 854149000
KRHTS:: 8541409029
TARIC:: 8541490000
MXHTS:: 8541400401
BRHTS:: 85414900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TLP152/352 IGBT/MOSFET Gate Drive Photocouplers

Toshiba TLP152/352 IGBT/MOSFET Gate Drive Photocouplers consist of a GaAℓAs infrared light-emitting diode (LED) optically coupled to an integrated high-gain, high-speed photodetector IC chip. Each of these has an internal Faraday shield that provides a guaranteed common-mode transient immunity of 20kV/μs. They have a totem-pole output that can both sink and source current. These devices are ideal for IGBT and power MOSFET gate drivers.

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