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TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 2.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPH3R10AQMLQ

Herst.- Nr.:

TPH3R10AQM,LQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

Datenblatt:

TPH3R10AQM,LQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.19	CHF 2.19
	CHF 1.42	CHF 14.20
	CHF 0.977	CHF 97.70
	CHF 0.779	CHF 389.50
	CHF 0.727	CHF 727.00
	CHF 0.715	CHF 1’787.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.632	CHF 3’160.00
	CHF 0.618	CHF 6’180.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	210 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	30 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	U-MOS X-H
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	104 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns

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Datenblatt

TPH3R10AQM,LQ Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

80V N-Kanal U-MOS X-H MOSFETs

Die 80-V-N-Kanal-U-MOS-X-H-MOSFETs von Toshiba bieten hohe Schaltgeschwindigkeiten, eine geringe Gate-Ladung und eine geringe Verlustleistung. Die U-MOS X-H MOSFETs bieten einen hervorragenden Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) x Übertragungswiderstand x Eingangskapazität (C_iss), was zu einer hohen Leitfähigkeit und geringen Gate-Treiberverlusten führt. Die verringerte Ausgangskapazität (C_OSS) senkt die Ausgangsladung (Q_OSS), was die Schalteffizienz dieser Bauelemente erhöht. Diese MOSFETs eignen sich für schaltende Spannungsregler, Motortreiber und hocheffiziente DC-DC-Wandler.