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TPH3R506PL,LQ

Name: Toshiba TPH3R506PL,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R506PLLQ
Price: 0.67 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPH3R506PLLQ

Herst.- Nr.:

TPH3R506PL,LQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

Datenblatt:

TPH3R506PL,LQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	135 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	116 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSIX-H
Verpackung:	Reel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.4 ns
Serie:	TPH3R506PL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.8 ns
Gewicht pro Stück:	83 mg

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.