TPW3R70APL,L1Q
Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen
Siehe Produktspezifikationen
757-TPW3R70APLL1Q
TPW3R70APL,L1Q
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Datenblatt:
Auf Lager: 108
-
Lagerbestand:
-
108sofort lieferbarEin unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
-
Auf Bestellung:
-
5’000erwartet ab 14.09.2026
-
Lieferzeit ab Hersteller:
-
27Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ † | ||
| CHF 3.04 | CHF 3.04 | |
| CHF 1.99 | CHF 19.90 | |
| CHF 1.43 | CHF 143.00 | |
| CHF 1.18 | CHF 590.00 | |
| CHF 1.14 | CHF 1’140.00 | |
| CHF 1.10 | CHF 2’750.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000) | ||
| CHF 1.06 | CHF 5’300.00 | |
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.
↩
Datenblatt
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide STD Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
