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SIHFBF20STRR-GE3

Vishay / BC Components

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

594-SIHFBF2STRR-GE3

Herst.- Nr.:

SIHFBF20STRR-GE3

Herst.:

Vishay / BC Components

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

SIHFBF20STRR-GE3 Datenblatt

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	CHF 1.11	CHF 11.10
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	CHF 0.544	CHF 544.00
	CHF 0.508	CHF 1’270.00
	CHF 0.49	CHF 2’450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Marke:	Vishay / BC Components
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIH
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

SIHFBF20STRR-GE3 Datenblatt

Application Notes

Power MOSFET Avalanche Design Guidelines

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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