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SIHP100N60E-GE3

Name: Vishay SIHP100N60E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHP100N60E-GE3
Price: 4.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHP100N60E-GE3

Herst.- Nr.:

SIHP100N60E-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors
Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB

Datenblatt:

SIHP100N60E-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.19	CHF 219.00
	CHF 1.81	CHF 905.00
	CHF 1.76	CHF 1'760.00
	CHF 1.75	CHF 3'500.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	208 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	SIHP E
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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PCN

Technical Resources

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.