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IRFB9N65APBF-BE3

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-IRFB9N65APBF-BE3

Herst.- Nr.:

IRFB9N65APBF-BE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IRFB9N65APBF-BE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	930 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	IRFB
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	IRFB9N65APBF
Gewicht pro Stück:	2 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number without the BE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further assistance 
5-0321-9