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SQJ456EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ456EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ456EP-T2_GE3
Price: 0.93 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ456EP-T2_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ456EP-T2_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJA

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

SQJ456EP-T2_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Herst.:

Vishay / Siliconix

Herst.- Nr.:

SQJA72EP-T1_GE3

Beschreibung:

MOSFETs 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8L-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	187 mg

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Datenblatt

SQJ456EP-T2_GE3 Datenblatt

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.