2N5401YBU

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-2N5401YBU

Herst.- Nr.:

2N5401YBU

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	600 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	150 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	160 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	400 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2N5401
Verpackung:	Bulk
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	- 600 mA
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	30 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 50 at 50 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	179 mg