2N5550

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-2N5550

Herst.- Nr.:

2N5550

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	600 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	140 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	160 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	250 mV
Pd - Verlustleistung:	625 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2N5550
Verpackung:	Bulk
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors