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AFGY120T65SPD

Name: onsemi AFGY120T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY120T65SPD
Price: 11.2 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-AFGY120T65SPD

Herst.- Nr.:

AFGY120T65SPD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE

Datenblatt:

AFGY120T65SPD Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	160 A
Pd - Verlustleistung:	714 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGY120T65SPD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

AFGY120T65SPD Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGY100/AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs

onsemi AFGY100T65SPD und AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs sind AEC-Q101-qualifiziert und verfügen über sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste. Diese Funktionen ermöglichen einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, eine robuste transiente Zuverlässigkeit und eine niedrige EMI.